8 hazbeteko siliziozko oblea P/N motako (100) 1-100Ω finkoa berreskuratzeko substratua
Ostia kutxaren aurkezpena
8 hazbeteko siliziozko oblea siliziozko substratu-materiala da eta oso erabilia da zirkuitu integratuen fabrikazio-prozesuan. Horrelako siliziozko obleak zirkuitu integratu mota ezberdinak egiteko erabiltzen dira, mikroprozesadoreak, memoria txipak, sentsoreak eta beste gailu elektroniko batzuk barne. 8 hazbeteko siliziozko obleak tamaina handi samarreko txipak egiteko erabiltzen dira, eta abantailak dituzte, besteak beste, azalera handiagoa eta txip gehiago egiteko gaitasuna siliziozko oblea bakarrean, produkzio eraginkortasuna areagotuz. 8 hazbeteko siliziozko obleak propietate mekaniko eta kimiko onak ditu, eskala handiko zirkuitu integratuetarako egokia dena.
Produktuaren ezaugarriak
8" P/N mota, leundutako siliziozko oblea (25 pcs)
Orientazioa: 200
Erresistentzia: 0,1 - 40 ohm•cm (lote batetik bestera alda daiteke)
Lodiera: 725+/-20um
Prime/Monitor/Test kalifikazioa
MATERIALAREN PROPIETATEAK
Parametroa | Ezaugarria |
Mota/Dopatzailea | P, boroa N, fosforoa N, antimonioa N, artsenikoa |
Orientazioak | <100>, <111> zatitu orientazioak bezeroaren zehaztapenen arabera |
Oxigeno edukia | 1019ppmA Perdoi pertsonalizatuak bezeroaren zehaztapenaren arabera |
Karbono Edukia | < 0,6 ppmA |
PROPIETATE MEKANIKOAK
Parametroa | Lehena | Monitorea/ Proba A | Proba |
Diametroa | 200±0,2 mm | 200 ± 0,2 mm | 200 ± 0,5 mm |
Lodiera | 725±20µm (estandarra) | 725±25µm (estandarra) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm | 725±50µm (estandarra) |
TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm |
Arkua | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Itzulbiratu | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm |
Ertzaren biribilketa | ERDIAK | ||
Markatzea | Lehen mailako SEMI-Flat bakarrik, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch |
Parametroa | Lehena | Monitorea/ Proba A | Proba |
Aurrealdeko Alboko Irizpideak | |||
Gainazalaren egoera | Kimiko Mekanikoa Leundua | Kimiko Mekanikoa Leundua | Kimiko Mekanikoa Leundua |
Gainazalaren zimurtasuna | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° |
Kutsadura Partikulak@ > 0,3 µm | = 20 | = 20 | = 30 |
Haze, Pits Laranja azala | Bat ere ez | Bat ere ez | Bat ere ez |
Zerra, Marks Striazioak | Bat ere ez | Bat ere ez | Bat ere ez |
Atzeko aldean irizpideak | |||
Pitzadurak, bele-oinak, zerra-markak, orbanak | Bat ere ez | Bat ere ez | Bat ere ez |
Gainazalaren egoera | Kaustikoa grabatua |