4 hazbeteko Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm

Deskribapen laburra:

Zafiroa propietate fisiko, kimiko eta optikoen konbinazio berezia duen materiala da, tenperatura altuak, shock termikoak, uraren eta harearen higaduraren eta marraduraren aurrean erresistentea dena.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Aplikazioak

● III-V eta II-VI konposatuen hazkuntza-substratua.
● Elektronika eta optoelektronika.
● IR aplikazioak.
● Silicon On Sapphire Zirkuitu Integratua (SOS).
● Irrati-maiztasunen zirkuitu integratua (RFIC).
LED ekoizpenean, zafiro obleak galio nitruroa (GaN) kristalak hazteko substratu gisa erabiltzen dira, korronte elektrikoa aplikatzean argia igortzen dutenak.Zafiroa GaN hazteko substratu-material aproposa da GaN-ren antzeko kristal-egitura eta hedapen termikoaren koefizientea duelako, akatsak minimizatzen dituena eta kristalaren kalitatea hobetzen duena.

Optikan, zafiro obleak leiho eta lente gisa erabiltzen dira presio eta tenperatura altuko inguruneetan, baita irudi infragorrien sistemetan ere, gardentasun eta gogortasun handia dutelako.

Zehaztapena

Elementua	4 hazbeteko C-plano (0001) 650 μm Zafiro obleak
Kristalezko materialak	% 99,999, purutasun handikoa, Al2O3 monokristalinoa
Kalifikazioa	Prime, Epi-Ready
Azalera Orientazioa	C-hegazkina (0001)
	C planoa M ardatzarekiko angelutik kanpo 0,2 +/- 0,1°
Diametroa	100,0 mm +/- 0,1 mm
Lodiera	650 μm +/- 25 μm
Lehen mailako orientazioa	A-planoa (11-20) +/- 0,2°
Lehen mailako luzera laua	30,0 mm +/- 1,0 mm
Alde bakarra leundua	Aurrealdeko Azalera	Epi-leundua, Ra < 0,2 nm (AFM arabera)
(SSP)	Atzeko Azalera	Lur fina, Ra = 0,8 μm eta 1,2 μm
Alde bikoitza leundua	Aurrealdeko Azalera	Epi-leundua, Ra < 0,2 nm (AFM arabera)
(DSP)	Atzeko Azalera	Epi-leundua, Ra < 0,2 nm (AFM arabera)
TTV	< 20 μm
BARRA	< 20 μm
ERATZEA	< 20 μm
Garbiketa / Envasado	100 klaseko gela garbiak garbitzea eta hutsean ontziratzea,
	25 pieza kasete edo pieza bakarreko ontzi batean.

Enbalatzea eta bidalketa

Oro har, paketea 25pcs kasete kaxa bidez ematen dugu;100 graduko garbiketa gelaren azpian ostia ontzi bakarrean ere ontziratu dezakegu bezeroaren eskakizunaren arabera.