50,8 mm/100 mm AlN txantiloia NPSS/FSS AlN txantiloia zafiroan

Deskribapen laburra:

AlN-On-Sapphire-k Sapphire substratuetan aluminio nitrurozko filmak hazten diren materialen konbinazioari egiten dio erreferentzia.Egitura honetan, kalitate handiko aluminio-nitruro-filma lurrun-deposizio kimikoaren (CVD) edo lurrun-deposizio kimiko organometrikoaren (MOCVD) bidez hazi daiteke, eta horrek aluminio-nitruro-filmak eta zafiro-substratuak konbinazio ona izan ditzake.Egitura honen abantailak dira aluminio nitruroak eroankortasun termiko handia, egonkortasun kimiko handia eta propietate optiko bikainak dituela, eta zafiroaren substratuak propietate mekaniko eta termiko eta gardentasun bikainak dituela.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire hainbat gailu fotoelektriko egiteko erabil daiteke, hala nola:
1. LED txipak: LED txipak normalean aluminio nitrurozko filmez eta beste materialez eginda daude.LEDen eraginkortasuna eta egonkortasuna hobetu daitezke AlN-On-Sapphire obleak LED txip-en substratu gisa erabiliz.
2. Laserrak: AlN-On-Sapphire obleak laserretarako substratu gisa ere erabil daitezke, medikuntzan, komunikazioan eta materialen prozesatzeko erabili ohi direnak.
3. Eguzki-zelulak: Eguzki-zelulak fabrikatzeko, aluminio nitruroa bezalako materialak erabiltzea eskatzen da.AlN-On-Sapphire substratu gisa eguzki-zelulen eraginkortasuna eta bizitza hobetu ditzake.
4. Beste gailu optoelektronikoak: AlN-On-Sapphire obleak fotodetektagailuak, gailu optoelektronikoak eta beste gailu optoelektronikoak fabrikatzeko ere erabil daitezke.

Ondorioz, AlN-On-Sapphire obleak oso erabiliak dira eremu opto-elektrikoan, eroankortasun termiko handiagatik, egonkortasun kimiko handiagatik, galera txikia eta propietate optiko bikainengatik.

50,8 mm/100 mm AlN txantiloia NPSS/FSS-n

Elementua	Oharrak
Deskribapena	AlN-on-NPSS txantiloia	AlN-on-FSS txantiloia
Oblearen diametroa	50,8 mm, 100 mm
Substratua	c-planoa NPSS	c-plane Planar Sapphire (FSS)
Substratuaren lodiera	50,8 mm, 100 mmc-planoko zafiro planoa (FSS) 100 mm: 650 um
AIN epigeruzaren lodiera	3~4 um (helburua: 3,3 um)
Eroankortasuna	Isolatzaileak
Azalera	Hazi bezala
	RMS <1nm	RMS <2nm
Atzealdea	Ehotuta
FWHM(002)XRC	< 150 arkuseg	< 150 arkuseg
FWHM(102)XRC	< 300 arkuseg	< 300 arkuseg
Ertz-bazterketa	< 2 mm	< 3 mm
Orientazio lau nagusia	a-planoa+0,1°
Lehen mailako luzera laua	50,8 mm: 16 +/-1 mm 100 mm: 30 +/-1 mm
Paketea	Bidalketa-kutxan edo ostia bakarreko ontzian ontziratuta