50,8 mm 2 hazbeteko GaN zafiro Epi-geruzako oblean

Deskribapen laburra:

Hirugarren belaunaldiko material erdieroale gisa, galio nitruroak tenperatura altuko erresistentzia, bateragarritasun handia, eroankortasun termiko handia eta banda zabaleko abantailak ditu.Substratu materialen arabera, galio nitruro epitaxial xaflak lau kategoriatan bana daitezke: galio nitruroa, galio nitruroa, silizio karburoa, zafiroa eta silizioa.Silizioan oinarritutako galio nitruro epitaxial xafla gehien erabiltzen den produktua da, ekoizpen kostu baxua eta ekoizpen teknologia heldua duena.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Galio nitruroa GaN xafla epitaxialaren aplikazioa

Galio nitruroaren errendimenduan oinarrituta, galio nitruro epitaxial txipak potentzia handiko, maiztasun handiko eta tentsio baxuko aplikazioetarako egokiak dira batez ere.

Honetan islatzen da:

1) Bandgap handia: Bandgap altuak galio nitrurozko gailuen tentsio maila hobetzen du eta galio arseniuroko gailuek baino potentzia handiagoa atera dezakete, hau da, bereziki egokia 5G komunikazioko oinarrizko estazioetarako, radar militarretarako eta beste eremu batzuetarako;

2) Bihurtze-eraginkortasun handia: galio nitruroa aldatzeko potentzia gailu elektronikoen erresistentzia silizioko gailuena baino 3 magnitude txikiagoa da, eta horrek nabarmen murrizten du pizteko galera;

3) Eroankortasun termiko handia: galio nitruroaren eroankortasun termiko altuak beroa xahutzeko errendimendu bikaina du, potentzia handiko, tenperatura altuko eta beste gailuen eremuak ekoizteko egokia;

4) Matxura eremu elektrikoaren indarra: galio nitruroaren matxura eremu elektrikoaren indarra silizio nitruroarena baino hurbil dagoen arren, erdieroaleen prozesuaren, materialaren sarearen desadostasuna eta beste faktore batzuen ondorioz, galio nitruroaren gailuen tentsio-perdoia 1000V ingurukoa izan ohi da, eta erabilera seguruko tentsioa 650V-tik beherakoa izan ohi da.

Elementua	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Neurriak	eta 50,8 mm ± 0,1 mm
Lodiera	4,5±0,5 um		4,5±0,5um
Orientazio	C-planoa (0001) ±0,5°
Eroabide Mota	N mota (Dopatu gabe)	N mota (Si-dopatua)	P mota (Mg-dopatua)
Erresistentzia (3O0K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Eramaileen Kontzentrazioa	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mugikortasuna	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~ 10 cm²/Vs
Dislokazio-dentsitatea	5x10 baino gutxiago⁸cm^-2(XRDren FWHM-ek kalkulatua)
Substratuaren egitura	GaN Sapphire-n (Estandarra: SSP Aukera: DSP)
Azalera erabilgarria	> %90
Paketea	100 klaseko gela garbiko ingurunean paketatuta, 25 piezako kaseteetan edo ostia bakarreko ontzietan, nitrogeno atmosferapean.