100 mm 4 hazbeteko GaN zafiro epi-geruzako ostia Galio nitrurozko ostia epitaxiala

(1) Tenperatura altuko gozogintza, zafiroaren substratua 1050 ℃-ra berotzen da hidrogeno-atmosferan, helburua substratuaren gainazala garbitzea da;

(2) Substratuaren tenperatura 510 ℃-ra jaisten denean, 30 nm-ko lodiera duen GaN/AlN buffer geruza bat jartzen da zafiroaren substratuaren gainazalean;

(3) Tenperatura 10 ℃-ra igotzen da, erreakzio gasa amoniakoa, trimetilgalioa eta silanoa injektatzen dira, hurrenez hurren, dagokion emaria kontrolatzen dute eta 4um-ko lodierako silizioz dopatutako N motako GaN hazten da;

(4) Trimetil aluminioaren eta trimetil galioaren erreakzio gasa silizioz dopatutako A⒑ motako A⒑ kontinenteak prestatzeko erabili zen 0,15um-ko lodiera duten;

(5) 50nm Zn dopatutako InGaN trimetilgalioa, trimetilindioa, dietilzinka eta amoniakoa 8O0℃-ko tenperaturan injektatu eta emari-tasa desberdinak kontrolatuz prestatu zen;

(6) Tenperatura 1020 ℃-ra igo zen, trimetilaluminioa, trimetilgalioa eta bis (cyclopentadienyl) magnesioa injektatu ziren 0,15um Mg dopatutako P motako AlGaN eta 0,5um Mg dopatutako P motako G odoleko glukosa prestatzeko;

(7) Kalitate handiko P motako GaN Sibuyan filma nitrogeno-atmosferan 700 ℃-tan errezitatuz lortu zen;

(8) P motako G estasiaren gainazalean grabatzea N motako G estasiaren gainazala erakusteko;

(9) Ni/Au kontaktu plaken lurrunketa p-GaNI gainazalean, △/Al kontaktu plaken ll-GaN gainazalean elektrodoak osatzeko.