SiC
-
2 hazbeteko silizio karburozko obleak 6H edo 4H N motakoak edo erdi-isolatzaileak diren SiC substratuak
-
4H-N 4 hazbeteko SiC substratu-oblea Silizio Karburozko Ekoizpenerako Dummy Ikerketa Maila
-
6 hazbeteko 150 mm-ko silizio karburozko SiC obleak 4H-N motakoak MOS edo SBD ekoizpen ikerketarako eta kalitate faltsurako
-
8 hazbeteko 200 mm-ko 4H-N SiC oblea eroalea ikerketa-mailako maniki-itxurakoa
-
2 hazbeteko silizio karburozko obleak 6H edo 4H N motakoak edo erdi-isolatzaileak diren SiC substratuak