4H-N 4 hazbeteko SiC substratu-oblea Silizio-karburoaren ekoizpena ikerketa-maila finkoa

4H-N 4 hazbeteko SiC substratu-ostia Silizio-karburoaren produkzioa Fakultateko Ikerketa-mailako Irudia

Deskribapen laburra:

4 hazbeteko silizio karburozko kristal bakarreko substratu ostia errendimendu handiko materiala da, propietate fisiko eta kimiko bikainak dituena.Garbitasun handiko silizio karburozko kristal bakarreko materialaz egina dago, eroankortasun termiko bikainarekin, egonkortasun mekanikoarekin eta tenperatura altuko erresistentziarekin.Doitasun handiko prestaketa-prozesuari eta kalitate handiko materialei esker, txip hau alor askotan errendimendu handiko gailu elektronikoak prestatzeko material hobetsietako bat da.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Aplikazioak

4 hazbeteko silizio karburo kristal bakarreko substratu obleek zeregin garrantzitsua dute arlo askotan.Lehenik eta behin, erdieroaleen industrian oso erabilia da potentzia handiko gailu elektronikoak prestatzeko, hala nola potentzia-transistoreak, zirkuitu integratuak eta potentzia-moduluak.Bere eroankortasun termiko eta tenperatura altuko erresistentziari esker, beroa hobeto xahutzen du eta lan eraginkortasun eta fidagarritasun handiagoa eskaintzen du.Bigarrenik, material eta gailu berriei buruzko ikerketak egiteko silizio-karburozko obleak ere erabiltzen dira ikerketa-esparruan.Horrez gain, silizio karburozko obleak optoelektronikan ere oso erabiliak dira, hala nola led eta laser diodoen fabrikazioan.

4 hazbeteko SiC oblearen zehaztapenak

4 hazbeteko silizio karburozko kristal bakarreko substratuko oblea 4 hazbeteko diametroa (101,6 mm inguru), gainazaleko akabera Ra < 0,5 nm arte, 600±25 μm-ko lodiera.Oblearen eroankortasuna N motakoa edo P motakoa da eta bezeroen beharren arabera pertsonaliza daiteke.Horrez gain, txipak egonkortasun mekaniko bikaina du, presio eta bibrazio kopuru jakin bat jasan dezake.

hazbeteko silizio-karburo kristal bakarreko substratu ostia erdieroaleetan, ikerketan eta optoelektronikan oso erabilia den errendimendu handiko materiala da.Eroankortasun termiko bikaina, egonkortasun mekanikoa eta tenperatura altuko erresistentzia ditu, potentzia handiko gailu elektronikoak prestatzeko eta material berrien ikerketarako egokia dena.Hainbat zehaztapen eta pertsonalizazio aukera eskaintzen ditugu bezeroen beharrizanei erantzuteko.Mesedez, arreta jarri gure gune independenteari silizio karburoko obleen produktuari buruzko informazio gehiago jakiteko.

Funtsezko lanak: Silizio karburozko obleak, silizio karburozko kristal bakarreko obleak, 4 hazbeteko, eroankortasun termikoa, egonkortasun mekanikoa, tenperatura altuko erresistentzia, potentzia-transistoreak, zirkuitu integratuak, potentzia-moduluak, led-ak, laser-diodoak, gainazaleko akabera, eroankortasuna, aukera pertsonalizatuak