Substratua
-
2 hazbeteko silizio karburozko oblea 6H-N motakoa, lehen mailako ikerketa mailakoa, 330 μm-ko 430 μm-ko lodiera duena.
-
2 hazbeteko silizio karburozko substratua 6H-N alde bikoitzeko leundutako diametroa 50,8 mm-koa ekoizpen mailako ikerketa mailakoa
-
p motako 4H/6H-P 3C-N MOTAKO SIC substratua 4 hazbetekoa 〈111〉± 0.5°Zero MPD
-
SiC substratua P motakoa 4H/6H-P 3C-N 4 hazbetekoa, 350um-ko lodierarekin Ekoizpen mailakoa Fikziozko mailakoa
-
4H/6H-P 6 hazbeteko SiC oblea Zero MPD mailakoa Ekoizpen Maila Faltsu Maila
-
P motako SiC oblea 4H/6H-P 3C-N, 6 hazbeteko lodiera, 350 μm-koa, Orientazio Laua Lehen Mailakoarekin
-
TVG prozesua kuartzozko zafiro BF33 oblean Beirazko oblearen zulaketa
-
Kristal bakarreko siliziozko oblea Si substratu mota N/P aukerakoa silizio karburozko oblea
-
N motako SiC konposite substratuak Dia6inch Kalitate handiko monokristalinoa eta kalitate baxuko substratua
-
SiC erdi-isolatzailea Si substratu konposatuetan
-
Erdi-isolatzaile SiC konpositezko substratuak Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
Zafiro sintetikoa monokristalezko zafiro hutsaren diametroa eta lodiera pertsonaliza daitezke