Substratua
-
6 hazbeteko silizio karburozko 4H-SiC erdi-isolatzaile lingotea, kalitate faltsua
-
SiC lingotea 4H motakoa, diametroa 4 hazbetekoa eta lodiera 5-10 mm-koa, ikerketa / kalitate faltsua
-
6 hazbeteko zafiro Boule zafiro hutsa kristal bakarrekoa Al2O3 % 99,999
-
Sic substratua silizio karburozko oblea 4H-N motakoa gogortasun handiko korrosioarekiko erresistentzia handiko lehen mailako leuntzea
-
2 hazbeteko silizio karburozko oblea 6H-N motakoa, lehen mailako ikerketa mailakoa, 330 μm-ko 430 μm-ko lodiera duena.
-
2 hazbeteko silizio karburozko substratua 6H-N alde bikoitzeko leundutako diametroa 50,8 mm-koa ekoizpen mailako ikerketa mailakoa
-
p motako 4H/6H-P 3C-N MOTAKO SIC substratua 4 hazbetekoa 〈111〉± 0.5°Zero MPD
-
SiC substratua P motakoa 4H/6H-P 3C-N 4 hazbetekoa, 350um-ko lodierarekin Ekoizpen mailakoa Fikziozko mailakoa
-
4H/6H-P 6 hazbeteko SiC oblea Zero MPD mailakoa Ekoizpen Maila Faltsu Maila
-
P motako SiC oblea 4H/6H-P 3C-N, 6 hazbeteko lodiera, 350 μm-koa, Orientazio Laua Lehen Mailakoarekin
-
TVG prozesua kuartzozko zafiro BF33 oblean Beirazko oblearen zulaketa
-
Kristal bakarreko siliziozko oblea Si substratu mota N/P aukerakoa silizio karburozko oblea