Produktuak
-
Sic substratua silizio karburozko oblea 4H-N motakoa gogortasun handiko korrosioarekiko erresistentzia handiko lehen mailako leuntzea
-
2 hazbeteko silizio karburozko oblea 6H-N motakoa, lehen mailako ikerketa mailakoa, 330 μm-ko 430 μm-ko lodiera duena.
-
2 hazbeteko silizio karburozko substratua 6H-N alde bikoitzeko leundutako diametroa 50,8 mm-koa ekoizpen mailako ikerketa mailakoa
-
Kobrezko substratua Kobre kubikoa Kristal bakarreko Cu oblea 100 110 111 Orientazioa SSP DSP purutasuna % 99,99
-
Kobrezko substratu kristal bakarreko Cu oblea 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
-
Nikel-oblea Ni substratua 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
-
Ni Substratu/oblea kristal bakarreko egitura kubikoa a=3.25A dentsitatea 8.91
-
Magnesio kristal bakarreko substratua Mg oblea % 99,99ko purutasuna 5x5x0,5/1 mm 10x10x0,5/1 mm 20x20x0,5/1 mm
-
Magnesio kristal bakarreko Mg oblea DSP SSP Orientazioa
-
Zirkuitu integratuen fabrikaziorako dimentsiotan leundu eta prozesatu den aluminiozko metalezko kristal bakarreko substratua
-
Aluminiozko substratua Kristal bakarreko aluminiozko substratuaren orientazioa 111 100 111 5×5×0.5mm
-
Kuartzozko beirazko oblea JGS1 JGS2 BF33 oblea 8 hazbetekoa 12 hazbetekoa 725 ± 25 um edo pertsonalizatua