Sapphire Substratu PSS 2inch 4inch 4inch 6inch ICP lehorra LED patatak erabil daitezke

Sapphire Substratu eredua PSS 2inch 4inch 6inch ICP Dry grabaketa LED chips-en erabil daiteke

Deskribapen laburra:

Sapphire Substratu eredua (PSS) substratua da, mikro eta nano egiturak litografia eta grabaketa teknikek osatzen baitute. Batez ere LED (Argia emititzen du diodoa) fabrikazioan erabiltzen da argi erauzketa eraginkortasuna hobetzeko gainazaleko patroiaren diseinuaren bidez, eta, beraz, LEDaren distira eta errendimendua hobetuz.

Bidali mezu elektronikoa guri

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Core ezaugarria

1. Ezaugarri materialak: substratu materiala kristal zafiro bakarra da (albo₃), gogortasun handia, beroarekiko erresistentzia handia eta egonkortasun kimikoa.

2. Azalera egitura: gainazala fotolitografia eta mikro nano egituretan grabatuta dago, hala nola konoak, piramideak edo matrize hexagonalak.

3. Errendimendu optikoa: gainazaleko patroiaren diseinuaren bidez, interfazean argiaren isla osoa murrizten da eta argi erauzketaren eraginkortasuna hobetzen da.

4. Errendimendu termikoa: Sapphire substratuak eroankortasun termiko bikaina du, potentzia handiko LED aplikazioetarako egokia.

5. Tamaina zehaztapenak: tamaina arruntak 2 hazbete (50,8 mm), 4 hazbete (100mm) eta 6 hazbete (150mm) dira.

Aplikazio arlo nagusiak

1. LED fabrikazioa:
Argiaren erauzketa eraginkortasuna hobetua: PSSek argi-galera murrizten du patternizioaren diseinuaren bidez, LED distira eta eraginkortasun argitsua nabarmen hobetuz.

Hazkunde epitaxialaren kalitatea hobetua: egitura ereduak hazkunde-oinarri hobea eskaintzen du Gan Epitarxo Geruatzaileentzat eta LED errendimendua hobetzen du.

2. Laser diodoa (LD):
Potentzia handiko laserrak: PSSaren eroankortasun termikoa eta egonkortasuna egokiak dira potentzia laser handiko diodoetarako, beroaren xahutzeko errendimendua eta fidagarritasuna hobetzeko.

Atalase baxuko korrontea: Hazkunde epitaxiala optimizatu, murriztu laser diodoaren atalasea eta eraginkortasuna hobetu.

3. Fotodetector:
Sentsibilitate handia: PSSren argiztapen handiko eta akats txikiko dentsitateak photodetektorearen sentsibilitatea eta erantzunaren abiadura hobetzen ditu.

Ikuskizun-erantzun zabala: ultravioletaren detekzio fotoelektrikoetarako egokia da.

4. Potentzia elektronika:
Tentsio handiko erresistentzia: Sapphireko isolamendu altua eta egonkortasun termikoa egokiak dira tentsio altuko gailuetarako.

Beroaren xahutzea eraginkortasuna: eroankortasun termiko altuak energia-gailuen transpazioaren errendimendua hobetzen du eta zerbitzu-bizitza luzatzen du.

5. RF gailuak:
Maiztasun handiko errendimendua: PSSen galera dielektriko baxua eta PSSren egonkortasun termiko altua maiztasun handiko RF gailuetarako egokiak dira.

Zarata baxua: lautada altua eta akats txikiko dentsitatea Gailuaren zarata murrizten dute eta seinalearen kalitatea hobetzen dute.

6. Biosentsoreak:
Sentsibilitate handiko detekzioa: PSSen transmisio eta egonkortasun kimiko altua da sentikortasun handiko biosentsoreetarako.

Biocompatibility: zafiroaren bio -compatibilitateak egokia da medikuntza eta biodetection aplikazioetarako.
Sapphire Substratu eredua (PSS) Gan Epitarxo Materialarekin:

Sapphire Substratu eredua (PSS) substratu ezin hobea da GAN (Gallium Nitride) EPITAXIAL HAZKUNTZA. Sapphire-ko etengabeko konstanteak ganetik gertu dago, eta horrek hazkunde epituxialean desmuntatu eta akatsak murriztu ditzake. PSS gainazalaren mikro-nano egiturak argi erauzteko eraginkortasuna areagotzen du, baina Gan Epitaraxial geruzaren kristal kalitatea ere hobetzen du, eta horrela, LEDaren errendimendua eta fidagarritasuna hobetzen ditu.

Parametro teknikoak

Gai	Sapphire Substratu eredua (2 ~ 6inch)
Diametro	50,8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150,0 ± 0,3 mm
Loditasun	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Gainazaleko orientazioa	C-Plane (0001) Angeluaz kanpoko angelua M-AXIS (10-10) 0,2 ± 0,1 °
	C-plane (0001) angelu gabeko angelua A ardatzetik (11-20) 0 ± 0,1 °
Lehen orientazio nagusia	A-planoa (11-20) ± 1,0 °
Luzera laua	16,0 ± 1,0 mm	30,0 ± 1,0 mm	47,5 ± 2,0 mm
R-plano	9 eta 9
Aurreko gainazalaren akabera	Eredua
Atzeko gainazal akabera	SSP: Lur fina, Ra = 0,8-1.2um; DSP: Epi-leundua, Ra <0,3nm
Laser marka	Atzeko aldea
Ttv	≤8μm	≤10μM	≤20μM
Agur	≤10μM	≤15μm	≤25μm
Mor	≤12μm	≤20μM	≤30μm
Ertzaren bazterketa	≤2 mm
Ereduaren zehaztapena	Forma egitura	Kupula, konoa, piramidea
	Ereduaren altuera	1,6 ~ 1,8μm
	Ereduaren diametroa	2,75 ~ 2.85μm
	Patroi espazioa	0,1 ~ 0,3μM

XKH-k kalitate handiko zifra-substratuak (PSS) pertsonalizatutako zafiroaren (PSS) eskaintzen ditu, laguntza teknikoarekin eta salmenta osteko zerbitzuarekin, bezeroei LED, pantailan eta optoelektronikoen arloan berrikuntza eraginkorra lortzen laguntzeko.

1. Kalitate handiko PSS hornidura: Zafoirazko substratu ereduak hainbat tamainatan (2 ", 4", 6 ") LED, pantailako eta optoelektronikoko gailuak betetzeko.

2. Diseinu pertsonalizatua: Pertsonalizatu gainazaleko mikro-nano egitura (adibidez, konoa, piramidea edo array hexagonala), bezeroaren erauzketa eraginkortasuna optimizatu behar da.

3. Laguntza Teknikoa: PSS aplikazioaren diseinua, prozesuen optimizazioa eta kontsulta teknikoa eskaintzea bezeroei produktuen errendimendua hobetzen laguntzeko.

4. Hazkunde Epitarioaren Laguntza: GANA EPITAXIAL MATERIALAREKIN PSSarekin bat dator, kalitate handiko geruza hazkunde epitaxialak ziurtatzeko.

5. Proba eta ziurtagiria: PSS kalitatearen ikuskapen txostena eskaintzea produktuek industriako estandarrak betetzen dituztela ziurtatzeko.