Gaur egun, gure enpresak 8inchN motako SiC obleen sorta txikia hornitzen jarraitu dezake, lagin beharrak badituzu, jar zaitez nirekin harremanetan.Lagin-ostia batzuk bidaltzeko prest ditugu.
Material erdieroaleen arloan, konpainiak aurrerapen handia egin du tamaina handiko SiC kristalen ikerketan eta garapenean.Diametroa handitzeko hainbat txandaren ondoren bere hazi-kristalak erabiliz, konpainiak 8 hazbeteko N motako SiC kristalak arrakastaz hazi ditu, eta horrek arazo zailak konpontzen ditu, hala nola, tenperatura-eremu irregularra, kristalen pitzadura eta gas faseko lehengaien banaketa hazteko prozesuan. 8 hazbeteko SIC kristalak, eta tamaina handiko SIC kristalen eta prozesatzeko teknologia autonomo eta kontrolagarriaren hazkundea bizkortzen du.Asko hobetu konpainiaren lehiakortasun nagusia SiC kristal bakarreko substratuaren industrian.Aldi berean, konpainiak aktiboki sustatzen du tamaina handiko silizio karburoko substratuak prestatzeko lerro esperimentalaren teknologia eta prozesuaren pilaketa, truke teknikoa eta lankidetza industriala indartzen ditu gora eta beherako eremuetan, eta bezeroekin elkarlanean aritzen da produktuaren errendimendua etengabe errepikatzeko, eta elkarrekin. silizio karburoko materialen industria-aplikazioaren erritmoa sustatzen du.
| 8 hazbeteko N motako SiC DSP zehaztapenak | |||||
| Zenbakia | Elementua | Unitatea | Ekoizpena | Ikerketa | Dummy |
| 1. Parametroak | |||||
| 1.1 | politipoa | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | gainazaleko orientazioa | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parametro elektrikoa | |||||
| 2.1 | dopatzailea | -- | n motako nitrogenoa | n motako nitrogenoa | n motako nitrogenoa |
| 2.2 | erresistentzia | ohm · cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parametro mekanikoa | |||||
| 3.1 | diametroa | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | lodiera | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Notch orientazioa | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Notch Sakonera | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm*10mm) | ≤5 (10mm*10mm) | ≤10 (10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arkua | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Egitura | |||||
| 4.1 | mikrohodien dentsitatea | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal edukia | atomoak/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kalitate positiboa | |||||
| 5.1 | aurrean | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | gainazaleko akabera | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | partikula | ea/ostia | ≤100 (tamaina ≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | urratu | ea/ostia | ≤5, Luzera osoa ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Ertza txirbilak/koskak/pitzadurak/orbanak/kutsadura | -- | Bat ere ez | Bat ere ez | NA |
| 5.6 | Politipo eremuak | -- | Bat ere ez | Eremua ≤10% | Eremua ≤% 30 |
| 5.7 | aurrealdeko marka | -- | Bat ere ez | Bat ere ez | Bat ere ez |
| 6. Bizkarreko kalitatea | |||||
| 6.1 | atzeko akabera | -- | C-aurpegia MP | C-aurpegia MP | C-aurpegia MP |
| 6.2 | urratu | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Atzeko akatsen ertza txipak/koskak | -- | Bat ere ez | Bat ere ez | NA |
| 6.4 | Bizkarreko zakartasuna | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Atzeko markaketa | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Ertza | |||||
| 7.1 | ertza | -- | Txanflarra | Txanflarra | Txanflarra |
| 8. Paketea | |||||
| 8.1 | bilgarri | -- | Epi-prest hutsarekin bilgarri | Epi-prest hutsarekin bilgarri | Epi-prest hutsarekin bilgarri |
| 8.2 | bilgarri | -- | Ostia anitzekoa kasete ontziratzea | Ostia anitzekoa kasete ontziratzea | Ostia anitzekoa kasete ontziratzea |
Argitalpenaren ordua: 2023-04-18