Gaur egun, gure enpresak 8 hazbeteko N motako SiC obleak sorta txikiak hornitzen jarrai dezake. Lagin beharrik baduzu, jar zaitez nirekin harremanetan. Bidaltzeko prest dauden obleak ditugu.
Material erdieroaleen arloan, enpresak aurrerapen handia egin du tamaina handiko SiC kristalen ikerketan eta garapenean. Diametroa handitzeko hainbat txanda egin ondoren bere hazi-kristalak erabiliz, enpresak 8 hazbeteko N motako SiC kristalak hazi ditu arrakastaz, eta horrek arazo zailak konpontzen ditu, hala nola tenperatura-eremu irregularra, kristalen pitzadurak eta gas-faseko lehengaien banaketa 8 hazbeteko SIC kristalen hazkuntza-prozesuan, eta tamaina handiko SIC kristalen hazkundea eta prozesatzeko teknologia autonomoa eta kontrolagarria bizkortzen ditu. Enpresaren lehiakortasun nagusia asko hobetzen du SiC kristal bakarreko substratuen industrian. Aldi berean, enpresak aktiboki sustatzen du tamaina handiko silizio karburozko substratuen prestaketa-lerro esperimentalaren teknologia eta prozesuen metaketa, truke teknikoa eta industria-lankidetza indartzen ditu goranzko eta beheranzko eremuetan, eta bezeroekin lankidetzan aritzen da produktuaren errendimendua etengabe iteratzeko, eta silizio karburozko materialen aplikazio industrialaren erritmoa elkarrekin sustatzen du.
| 8 hazbeteko N motako SiC DSP zehaztapenak | |||||
| Zenbakia | Elementua | Unitatea | Ekoizpena | Ikerketa | Txantxa |
| 1. Parametroak | |||||
| 1.1 | politipo | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | gainazalaren orientazioa | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parametro elektrikoa | |||||
| 2.1 | dopante | -- | n motako nitrogenoa | n motako nitrogenoa | n motako nitrogenoa |
| 2.2 | erresistentzia | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parametro mekanikoa | |||||
| 3.1 | diametroa | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | lodiera | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Koska orientazioa | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Koska sakonera | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arkua | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Deformazioa | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Egitura | |||||
| 4.1 | mikrohodi dentsitatea | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal edukia | atomo/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kalitate positiboa | |||||
| 5.1 | aurrealdea | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | gainazalaren akabera | -- | Si-aurpegiko CMP | Si-aurpegiko CMP | Si-aurpegiko CMP |
| 5.3 | partikula | oblea | ≤100 (tamaina ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | urradura | oblea | ≤5, Luzera osoa ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Ertza txirbilak/koskak/pitzadurak/orbanak/kutsadura | -- | Bat ere ez | Bat ere ez | NA |
| 5.6 | Politipo eremuak | -- | Bat ere ez | Eremua ≤10% | Eremua ≤30% |
| 5.7 | aurrealdeko markaketa | -- | Bat ere ez | Bat ere ez | Bat ere ez |
| 6. Bizkarraren kalitatea | |||||
| 6.1 | atzeko akabera | -- | C-aurpegiko diputatua | C-aurpegiko diputatua | C-aurpegiko diputatua |
| 6.2 | urradura | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Atzeko ertzaren akatsak txirbilak/koskak | -- | Bat ere ez | Bat ere ez | NA |
| 6.4 | Bizkarreko zimurtasuna | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Atzeko markaketa | -- | Koska | Koska | Koska |
| 7. Ertza | |||||
| 7.1 | ertza | -- | Txanfla | Txanfla | Txanfla |
| 8. Paketea | |||||
| 8.1 | ontziratzea | -- | Epi-prest hutsean ontziratzea | Epi-prest hutsean ontziratzea | Epi-prest hutsean ontziratzea |
| 8.2 | ontziratzea | -- | Oblea anitzekoa kasete-ontziratzea | Oblea anitzekoa kasete-ontziratzea | Oblea anitzekoa kasete-ontziratzea |
Argitaratze data: 2023ko apirilaren 18a