Industriako Berriak
-
Laser bidezko ebakitzea izango da etorkizunean 8 hazbeteko silizio karburoa ebakitzeko teknologia nagusia. Galdera-erantzunen bilduma
G: Zeintzuk dira SiC oblea mozteko eta prozesatzeko erabiltzen diren teknologia nagusiak? E: Silizio karburoak (SiC) diamantearen atzetik bigarren gogortasuna du eta material oso gogor eta hauskortzat hartzen da. Mozketa prozesua, kristal haziak oblea meheetan moztea dakar, denbora asko eskatzen du eta...Irakurri gehiago -
SiC oblea prozesatzeko teknologiaren egungo egoera eta joerak
Hirugarren belaunaldiko erdieroale substratu material gisa, silizio karburo (SiC) kristal bakarreko aplikazio aukera zabalak ditu maiztasun handiko eta potentzia handiko gailu elektronikoen fabrikazioan. SiC-ren prozesatzeko teknologiak erabakigarria da kalitate handiko substratuen ekoizpenean...Irakurri gehiago -
Hirugarren belaunaldiko erdieroaleen izar gorantz doana: galio nitruroa, etorkizunean hainbat hazkunde puntu berri izango ditu
Silizio karburozko gailuekin alderatuta, galio nitrurozko potentzia-gailuek abantaila gehiago izango dituzte eraginkortasuna, maiztasuna, bolumena eta beste alderdi integral batzuk aldi berean behar diren egoeretan, hala nola galio nitrurozko gailuak arrakastaz aplikatu direnean...Irakurri gehiago -
GaN industria nazionalaren garapena bizkortu egin da
Galio nitruro (GaN) potentzia-gailuen erabilera izugarri hazten ari da, Txinako kontsumo-elektronikako saltzaileek gidatuta, eta potentzia-GaN gailuen merkatua 2.000 milioi dolarretara iristea espero da 2027rako, 2021eko 126 milioi dolarretatik gora. Gaur egun, kontsumo-elektronikako sektorea da galio nitruroaren eragile nagusia...Irakurri gehiago