Epi-geruza
-
200 mm 8 hazbeteko GaN zafiro Epi-geruza oblearen substratuan
-
InGaAs oblea epitaxialaren substratua PD Array fotodetektagailu-matrizeak LiDARrako erabil daitezke
-
2 hazbeteko 3 hazbeteko 4 hazbeteko InP oblea epitaxialeko substratua APD argi detektagailua zuntz optikoko komunikazioetarako edo LiDARrako
-
GaAs potentzia handiko oblea epitaxialaren substratua galio arseniuroa oblearen potentzia laser uhin-luzera 905nm laser tratamendu medikorako
-
Silicon-On-Insulator Substrate SOI ostia hiru geruza mikroelektronika eta irrati-maiztasuna
-
SOI oblea isolatzailea 8 hazbeteko eta 6 hazbeteko siliziozko SOI (Silicon-On-Insulator) obleetan
-
6 hazbeteko SiC Epitaxiy ostia N/P motako pertsonalizatua onartzen du
-
4 hazbeteko SiC Epi ostia MOS edo SBDrako
-
6 hazbeteko GaN-On-Sapphire
-
100 mm 4 hazbeteko GaN zafiro epi-geruzako ostia Galio nitrurozko ostia epitaxiala
-
150mm 200mm 6inch 8inch GaN Silizio epi-geruzako oblean Galio nitruroa epitaxial ostia
-
4 hazbeteko 6 hazbeteko litio niobato kristal bakarreko film LNOI ostia